BUK9528-55127 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  BUK9528-55127
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BUK9528-55127 Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 40 A DS Breakdown Voltage-Min: 55 V Avalanche Energy Rating (Eas): 70 mJ Drain-source On Resistance-Max: 0.0280 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 160 A
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BUK9528-55127.pdf
Файл формата Pdf 233,72 KB